Geruchlose C4F6 gasen umweltfreundliche reine Gas-Produkte für Ätzungs-Chemie

Umweltfreundliches Gas des Gas-C4F6 für Ätzungs-Chemie

Beschreibung:

Hexafluoro-1,3-butadiene (C4F6) ist ein verhältnismäßig neues Ätzungsgas für die Herstellung von Halbleiterbauelementen, besonders in den kritischen Ätzungsprozessen, die hohe Längenverhältnisse und Selektivität benötigen. Es ist in der Lage, Hochleistung mit gutartigen Umweltfolgen sehr zu kombinieren. Dieses Gas ist auf einer industriellen Ebene erst vor kurzem verfügbar geworden und wir glaubten dem Bedarf, die Daten in unserem Besitz auf seinem Verhalten in der Plasmakammer und in den Gasliefersystemen zu erhöhen.

Ionenintensität und absolutes Gesamtionenspezifische Stromdichten maßen beide für die Entladung, die in reinem C4F6 und in der Mischung mit Argon erzeugt wurde. Darüber hinaus werden das Verhältnis von radikalen Dichten im Verhältnis zu den CF, die mit Maßen der Untermillimeter-Absorptionsspektroskopie und der Spektroskopie der optischen Emission gemessen werden, für einige Gasdrücke und Gasgemischverhältnisse dargestellt. Mit c-C4F8 wird verglichen.

Die materielle Kompatibilität dieses Gases, die wie dieses ‚exotische‘ Gas zeigen, kann mit Standardmaterialien behandelt werden. Die meisten signifikanten Vorteile des Gases C4F6 werden von seiner demonstrierten Leistung für eine Strecke der in zunehmendem Maße fordernden modernen Ätzungsprozesse offensichtlich, die begleitende hohe Selektivität zu 193 Nanometer-Photoresists, zu den hardmasks und zu einer Vielzahl von Underlayers beim Erhalt der kritischen Maß- und Profilsteuerung erfordern. Vorteile von C4F6 basierten Ätzungsprozesse, wie hoher Längenverhältniskontakt/über Ätzung, die hohe offene Selektivitätsmaske, und die damascene Ätzungsverdoppelungprozesse, entwickelt auf einem angewandte Materialien dielektrischen Etcher und die Analysen von PFC-Emissionsdaten werden besprochen.

STABILITÄT UND REAKTIVITÄT

TOXIKOLOGISCHE INFORMATIONEN

Anwendungen:

1. Eine neue Generation des Halbleiterradierungsgases.

alternative Plasmen des Gas-2.Perfluorocarbon für Kontaktfenster-Ätzung.

Ätzverfahren 3.Plasma für Unter-Viertel Mikrometer-Geräte: