Elektronische Reinheit plus Spezialitäten-Gase C4F6 für TFT LCD-Herstellung

Elektronische Spezialität gast C4F6, das während der Halbleiter-Herstellung und der Herstellung von TFT-LCDs verwendet wird

Beschreibung:

C4F6 ist eine neue umweltfreundliche, leistungsstarke, Ätzungschemie für seine dielektrische Ätzung IPS (TM) Centura (R) und Supere (TM) Centura Systeme der Nichtleiter-Ätzung. Das Gas C4F6 kann zur Verfügung stellt höhere Ätzungsrate, bessere Profilsteuerung und höhere Selektivität zum Fotoresist in den kritischen dielektrischen Ätzungsanwendungen.

Gas C4F6 verbessert dielektrische Ätzungsprozessergebnisse in den Schlüsselbereichen wie kupfernem Doppeldamascene, selbst-ausgerichtetem Kontakt und hohen Längenverhältnis-Kontaktätzungsanwendungen, einschließlich niedrige k-Materialien. Es weist auch bedeutenden Klimanutzen über gegenwärtiger Ätzungschemie auf.

Die Halbleiterindustrie hat neue Gaschemie in einer Bemühung, Emissionen der globalen Erwärmung zu verringern nachgeforscht. Zusätzlich zum Verbessern von Emissionen der globalen Erwärmung des Leistungs-, -gasc4f6 Eigenschaftstiefs und nullozonabbau-potentials des Ätzungsprozesses.

Anwendungen:

1. C: F-Verhältnis in Molekül C₄ F₆ ist genug hoch, die Menge des Polymers auf der Kammeroberfläche und Oblatenoberfläche in Bezug auf F zu steuern, welches die Radikale ätzt, die so überlegene Ergebnisse über anderen Gasen erzielen, um vertikales Profil zu produzieren. Wichtiger, erlauben seine tatsächlichen Eigenschaften hohe Selektivität zum Substrat oder Fotoresist und breiteres Prozessfenster, die mit C₄ F₈ verglichen werden.

2. Dieses Verhalten ist besonders nützlich, den Bedarf an der Subvention anzusprechen 0,25 m-Anforderungen. AR wird als Selektivitätsergebnisse eines Trägergases aber des Nitrids eine abnehmende Funktion für AR verwendet.