Fluorkohlenstoff-ansässiges Plasma des hoher Reinheitsgrad-Gas-C4F6 99,995%, das farbloses Gas ätzt

Hoher Reinheitsgrad C4F6 gas99.995%, Gebrauch in der Fluorkohlenstoff-ansässigen Plasma-Radierung

Beschreibung:

HFB, Gas der Trockenätzen C4F6, das es sich in Russland entwickelt hat. C4F6 ermöglicht Trockenätzen an einer Linienbreite von so schmalem wie 90 Nanometer oder weniger. Es ist deshalb für Verarbeitungssystem LSIs und die Hochgeschwindigkeits-, grossräumigen größtintegrierten Speicherbauelemente unentbehrlich, die in zunehmendem Maße in den digitalen Elektrogeräten und in den Flüssigkristallanzeigen benutzt werden.

Fluorkohlenstoffgase sind für die Verarbeitung der Silikonoxidschicht weitverbreitet. Verglichen mit dem octafluorocyclobutane (C4F8) z.Z. benutzt für die Verarbeitung an der Linienbreite von 130 Nanometer, hat C4F6 die folgenden Vorteile:

1.High Längenverhältnis, mit dem Ergebnis der schmalen und tiefen Nuten (passend für die Verarbeitung an der sehr schmalen Linienbreite)

Selektivität 2.High (stellt Radierung nur der Silikonoxidschicht sicher; beeinflußt nicht Fotoresist, Silikonsubstrat oder Nitridfilm)

FEUERBEKÄMPFUNGSMASSNAHMEN

ERSTE-HILFE-MASSNAHMEN

Anwendungen:

1.C4F6 kann als organometallische filmbildende Gase verwenden,

2. Gas HFB (C4F6) kann als Reinigungsmittel, das Abgas verwenden, das Wäscher verarbeitet