Hoher Reinheitsgrad-elektronische Gase/Germanomethane, Monogermane-Gas GeH4

Hoher Reinheitsgrad Germanomethane, Monogermane-Gas GeH4 benutzt in der elektronischen Industrie

Beschreibung:

Das Gas zerlegt nahe 600K zum Germanium und zum Wasserstoff. Wegen seiner thermischen Labilität passend wird in der Halbleiterindustrie für die Epitaxie des Germaniums durch MOVPE oder chemische Strahlnepitaxie verwendet. Organogermanium-Vorläufer (z.B. isobutylgermane, alkylgermanium Trichloride und dimethylaminogermanium Trichlorid) sind als weniger gefährliche flüssige Alternativen zu passendem für Absetzung von GE-enthaltenen Filmen durch MOVPE überprüft worden. Germaneis ein Hydrid der Gruppe 14.

Spezifikationen:

1. Physikalische Eigenschaften

2. Typische technische Daten (COA)

3. Verpackende Details:

4. Anwendungen:

Stickstoff-Trifluorid (NF3) ist in der elektronischen Industrie, Halbleiter und Solarfotoelektrizitätsindustrie etc., das weitverbreitet gewesen es eine gute Radierung und ein Reinigungsgas mit Vorteilen ohne restliches ist, hohe Reinigungsgeschwindigkeit und einfach zu zerlegen.