Vorgemischtes Gas-Argon-Fluorid, Lithographie ArF-Gasgemisch-193nm

Vorgemischtes Gas-Argon-Fluorid, Lithographie ArF-Gasgemisch-193nm

Beschreibung:

Die weitestverbreitete industrielle Anwendung von ArF-Excimerlasern ist in der tief-ultravioletten Photolithographie für die Herstellung von Mikroelektronischen Geräten gewesen. Von den früher 60er-Jahren bis Mitte 1980 s, waren Lampen Hektogramm-Xe für Lithographie bei 436, 405 und 365 Nanometer-Wellenlängen benutzt worden. Jedoch mit dem Bedarf der Halbleiterindustrie an der feineren Entschließung und am höheren Produktionsdurchsatz, waren die Lampe-ansässigen Lithographiewerkzeuge nicht mehr in der Lage, die Bedingungen der Industrie zu erfüllen.

Diese Herausforderung wurde überwunden, als in einer bahnbrechenden Entwicklung im Jahre 1982, tief-UVexcimerlaser-Lithographie bei IBM von K. Jain erfunden und demonstriert wurde. Wenn die phänomenalen Fortschritte in der Ausrüstungstechnologie gemacht sind, in den letzten zwei Jahrzehnten, heute Halbleiterelektronische geräte fabriziert unter Verwendung der Excimerlaser-Lithographiesumme $400 Milliarde in der jährlichen Produktion. Infolgedessen ist es die Halbleiterindustrie viewthat Excimer-Laser-Lithographie ist gewesen ein entscheidender Faktor im anhaltenden Fortschritt vom so genannten des Moores Gesetz.

Von einer sogar breiteren wissenschaftlichen und technologischen Perspektive da die Erfindung des Lasers im Jahre 1960, die Entwicklung von Excimerlaser-Lithographie als einer der bedeutenden Meilensteine in der 50-jährigen Geschichte des Lasers hervorgehoben worden ist.

Spezifikationen:

1. Physikalische Eigenschaften

2. typische technische Daten (COA)

3. Paket

Anwendungen:

Argon-Fluorid-Mischungen werden in 193 Nanometer-Lithographieanwendungen, normalerweise in Verbindung mit einem trägen Gasgemisch benutzt.