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Vorgemischtes Gas-Argon-Fluorid, Lithographie ArF-Gasgemisch-193nm

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Vorgemischtes Gas-Argon-Fluorid, Lithographie ArF-Gasgemisch-193nm

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Großes Bild :  Vorgemischtes Gas-Argon-Fluorid, Lithographie ArF-Gasgemisch-193nm

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: Newradar
Zertifizierung: ISO/DOT/GB
Modellnummer: N / A

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1pcs
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Verpackter in10L-50L Zylinder oder verpackt entsprechend den Nachfragen.
Lieferzeit: 25 Werktage nach empfingen Ihre Zahlung
Zahlungsbedingungen: L/C, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 500 PCS pro Monat
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Ausführliche Produkt-Beschreibung
Füllgas: Argon-, Neon-und Fluor-Gasgemische Produktname: Argon-Fluorid-Mischungen
chemische Formel: ArF Anwendung: Excimer-Laser
Dichte: unbekannt Molare Masse: 59,954 g/mol

Vorgemischtes Gas-Argon-Fluorid, Lithographie ArF-Gasgemisch-193nm

 

 

Beschreibung:

 

Die weitestverbreitete industrielle Anwendung von ArF-Excimerlasern ist in der tief-ultravioletten Photolithographie für die Herstellung von Mikroelektronischen Geräten gewesen. Von den früher 60er-Jahren bis Mitte 1980 s, waren Lampen Hektogramm-Xe für Lithographie bei 436, 405 und 365 Nanometer-Wellenlängen benutzt worden. Jedoch mit dem Bedarf der Halbleiterindustrie an der feineren Entschließung und am höheren Produktionsdurchsatz, waren die Lampe-ansässigen Lithographiewerkzeuge nicht mehr in der Lage, die Bedingungen der Industrie zu erfüllen.

 

Diese Herausforderung wurde überwunden, als in einer bahnbrechenden Entwicklung im Jahre 1982, tief-UVexcimerlaser-Lithographie bei IBM von K. Jain erfunden und demonstriert wurde. Wenn die phänomenalen Fortschritte in der Ausrüstungstechnologie gemacht sind, in den letzten zwei Jahrzehnten, heute belaufen sich die Halbleiterelektronischen geräte, die unter Verwendung Excimerlaser-Lithographie fabriziert werden, $400 auf Milliarde in der jährlichen Produktion. Infolgedessen ist es die Halbleiterindustrie viewthat Excimer-Laser-Lithographie ist gewesen ein entscheidender Faktor im anhaltenden Fortschritt vom so genannten des Moores Gesetz.

 

Von einer sogar breiteren wissenschaftlichen und technologischen Perspektive seit der Erfindung des Lasers im Jahre 1960, ist die Entwicklung von Excimerlaser-Lithographie als einer der bedeutenden Meilensteine in der 50-jährigen Geschichte des Lasers hervorgehoben worden.

 

 

Spezifikationen:

 

1. Physikalische Eigenschaften

 

Ware Argon-Fluoridgas
Molekulare Formel ArF
Phase Gas
Farbe

Farblos

Gefährliche Klasse für transort 2,2

 

2. typische technische Daten (COA)

 

Hauptteile
KOMPONENTEN KONZENTRATION STRECKE
Fluor 1,0% 0.9-1.0%
Argon 3,5% 3.4-3.6%
Neon Balance  
Maxinum-Verunreinigungen
KOMPONENTE KONZENTRATION (ppmv)
Kohlendioxyd (CO2) <5>
Kohlenmonoxid (Co) <1>
Tetrafluormethan (CF4) <2>
Karbonyl-Fluorid (COF2) <2>
Helium (He) <8>
Feuchtigkeit (H2O) <25>
Stickstoff (N2) <25>
Stickstoff-Trifluorid (NF3) <1>
Sauerstoff (O2) <25>
Silikon Tetrafluoride (SiF4) <2>
Schwefel-Hexafluorid (SF6) <1>
THC (als Methan) (CH4) <1>
Xenon (Xe) <10>

 

3. Paket

 

Zylinder-Spezifikationen Inhalt Druck
Zylinder Ventil-Ausgang-Wahlen Kubikfüße Liter PSIG STANGE
1 CGA679 DISS 728 265 7500 2000 139
2 CGA679 DISS 728 212 6000 2000 139
3 CGA679 DISS 728 71 2000 1800 125

 

Anwendungen:

 

Argon-Fluorid-Mischungen werden in 193 Nanometer-Lithographieanwendungen, normalerweise in Verbindung mit einem trägen Gasgemisch benutzt.

 

Vorgemischtes Gas-Argon-Fluorid, Lithographie ArF-Gasgemisch-193nm

Größe und Tag:

Laser-Gasgemische,

msds Erdgas

Kontaktdaten
Wuhan Newradar Special Gas Co.,Ltd

Ansprechpartner: Suyee Su

Telefon: +8618602768623

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